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sexta-feira, 25 de maio de 2012

Circuito rectificador



Uma das aplicações do díodo é a de rectificar corrente, por isso resolvi abordar um pouco sobre a rectificação, pois alem de ser uma das aplicações do díodo é também muito importante para a electrónica, pois os circuitos electrónicos não funcional com corrente alternada na maior parte dos casos.
Circuito rectificador é aquele que transforma corrente alternada em corrente contínua, ou seja, impede que haja mudança de sentido de fluxo de corrente eléctrica. É geralmente utilizado em projectos de fontes de alimentação CC.


A energia eléctrica disponível através das redes de distribuição apresenta-se sob a forma de corrente alternada, pois esta é a forma mais eficaz de transmissão a longas distâncias, entre outros motivos. Entretanto, diversas aplicações domésticas exigem o uso de corrente contínua, como por exemplo os aparelhos electrónicos. É necessário, então, um sistema que transforme de uma forma para outra.
O circuito rectificador é formado basicamente por elementos semicondutores, utilizados em configurações chamadas de rectificador de meia onda e rectificador de onda completa ou com ponte rectificadora.

Rectificador de meia onda



 O rectificador de meia onda possui um díodo em série com uma resistência de carga. A ddp na carga tem como saída uma senóide de meia onda. Logo a ddp média ou corrente contínua na saída de uma resistência de meia onda é igual a 31,8% da amplitude máxima da tensão (tensão de pico).

A rectificação de meia onda aproveita um semiciclo da senóide, para gerar na saída uma corrente cc (corrente continua) em uma frequência de 16.6 rad/s. A corrente é pulsante.

Utiliza-se para formar um circuito rectificador de meia onda, um díodo, que nos ciclos positivos, libera a corrente, pois a carga positiva devera estar no cátodo, tornando o díodo polarizado, e nos semiciclos negativos o negativo entra no cátodo tornando o díodo inversamente polarizado, actuando como um isolante.

Deve-se tomar cuidado para dimensionar um díodo de capacidade adequada pois quando uma corrente acima do seu nível de capacidade o percorre o díodo se torna um condutor comum, perdendo suas propriedades semicondutoras.

Rectificador de onda completa

Rectificador de onda completa é um circuito que transforma a corrente alternada  AC) em corrente contínua (DC) aproveitando tanto o semiciclo negativo quanto o positivo do transformador ou rede, ele consegue fazer isso por ao invés de usar um ele usa dois diodos em paralelo ou quatro quando se tratar de um circuito rectificador em ponte contudo, ele se torna um rectificador muito mais eficaz do que o de meia onda.


O enrolamento do transformador é dividido ao meio para adaptar duas tensões iguais vs em cada uma das metades do enrolamento secundário, com polaridades indicadas. Quando a tensão da linha é positiva, ambos os sinais vs serão positivos, D1 conduz e D2 está reversamente polarizado. Quando a tensão da linha é contrária, as tensões vs serão negativas, D1 está reversamente polarizado e D2 conduz. A corrente através de R sempre circula em um único sentido, e vO é unipolar.



Depois de rectificar é necessário filtrar a corrente, pois a corrente que sai do rectificador é uma corrente pulsante. Alem de se usar um díodo zener para estabilizar a tensão na saida do circuito rectificador.


Fonte: Wikipédia


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quinta-feira, 24 de maio de 2012

Diodo



Diodo semicondutor é um componente eletrónico composto de cristal semicondutor de silício ou germânio numa película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes gases durante sua formação. É o tipo mais simples de componente eletrónico semicondutor, usado como retificador de corrente elétrica. Possui uma queda de tensão de, aproximadamente, 0,3 V (germânio) e 0,7 V (silício).

O diodo é um componente electrónico que permite que a corrente atravesse-o num sentido com muito mais facilidade do que no outro. O tipo mais comum de diodo é o diodo semicondutor, no entanto, existem outras tecnologias de diodo.

Quando colocado em um simples circuito bateria-lâmpada, o diodo permite ou impede corrente através da lâmpada, dependendo da polaridade da tensão aplicada.


O diodo funciona como uma chave de acionamento automático (fechada quando o diodo está directamente polarizado e aberta quando o diodo está inversamente polarizado). A diferença mais substancial é que, quando diretamente polarizado, há uma queda de tensão no diodo muito maior do que aquela que geralmente se observa em chaves mecânicas (no caso do diodo de silício, 0,7 V). Assim, uma fonte de tensão de 10 V, polarizando diretamente um diodo em série com uma resistência, faz com que haja uma queda de tensão de 9,3 V na resistência, pois 0,7 V ficam no diodo. Na polarização inversa, acontece o seguinte: o diodo faz papel de uma chave aberta, já que não circula corrente, não haverá tensão no resistor, a tensão fica toda retida no diodo, ou seja, nos terminais do diodo há uma tensão de 10 V.

A principal função de um diodo semicondutor, em circuitos retificadores de corrente, é transformar corrente alternada em corrente contínua pulsante. Como no semiciclo negativo de uma corrente alternada o diodo faz a função de uma chave aberta, não passa corrente elétrica no circuito (considerando o “sentido convencional de corrente”, do “positivo” para o “negativo”). A principal função de um diodo semicondutor, em circuitos de corrente contínua, é controlar o fluxo da corrente, permitindo que a corrente eléctrica circule apenas em um sentido.

A dopagem do diodo semicondutor e os cristais P e N

A dopagem no diodo é feita pela introdução de elementos dentro de cristais tetravalentes, normalmente feitos de silício e germânio. Dopando esses cristais com elementos trivalentes, obtêm-se átomos com sete elétrões na camada de valência, que necessitam de mais um elétron para a neutralização (cristal P). Para a formação do cristal P, utiliza-se principalmente o elemento índio. Dopando os cristais tetravalentes com elementos pentavalentes, obtêm-se átomos neutralizados (com oito elétrões na camada de valência) e um elétrão excedente (cristal N).

Para a formação do cristal N, utiliza-se principalmente o elemento Fósforo. Quanto maior a intensidade da dopagem, maior a condutibilidade dos cristais, pois suas estruturas apresentam um número maior de portadores livres (lacunas e elétrões livres) e poucas impurezas que impedem a condução da corrente elétrica. Outro fator que influencia na condução desses materiais é a temperatura. Quanto maior é a temperatura de um diodo, maior a condutibilidade, pelo fato de que a energia térmica ter a capacidade de quebrar algumas ligações covalentes da estrutura, acarretando no aparecimento de mais portadores livres para a condução de corrente elétrica.

Após dopadas, cada face dos dois tipos de cristais (P e N) tem uma determinada característica diferente da oposta, gerando regiões de condução do cristal, uma com excesso de elétrões, outra com falta destes (lacunas). Entre ambas, há uma região de equilíbrio por recombinação de cargas positivas e negativas, chamada de região de depleção (a qual possui uma barreira de potencial).

Polarização do diodo

A polarização do diodo é dependente da polarização da fonte geradora. A polarização é direta quando o pólo positivo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal P(chamado de anodo) e o pólo negativo da fonte geradora entra em contato com o lado do cristal N(chamado de cátodo).

Assim, se a tensão da fonte geradora for maior que a tensão interna do diodo, os portadores livres se repelirão por causa da polaridade da fonte geradora e conseguirão ultrapassar a junção P-N, movimentando-os e permitindo a passagem de corrente elétrica. A polarização é inversa quando o inverso ocorre. Assim, ocorrerá uma atração das lacunas do anodo(cristal P) pela polarização negativa da fonte geradora e uma atração dos elétrões livres do cátodo (cristal N) pela polarização positiva da fonte geradora, sem existir um fluxo de portadores livres na junção P-N, ocasionando no bloqueio da corrente elétrica.

Pelo fato de que os diodos fabricados não são ideais(contém impurezas), a condução de corrente elétrica no diodo (polarização direta) sofre uma resistência menor que 1 ohm, que é quase desprezível. O bloqueio de corrente elétrica no diodo (polarização inversa) não é total devido novamente pela presença de impurezas, tendo uma pequena corrente que é conduzida na ordem de microampéres, chamada de corrente de fuga, que também é quase desprezível.

Uso em electrónica

O fenómeno da condutividade em um só sentido é aproveitado como um chaveamento da corrente eléctrica para a retificação de sinais senoidais, portanto, este é o efeito diodo semicondutor tão usado na eletrónica, pois permite que a corrente flua entre seus terminais apenas numa direção. Esta propriedade é utilizada em grande número de circuitos eletrónicos e nos retificadores.

Os retificadores são circuitos elétricos que convertem a tensão CA (AC) em tensão CC (DC). CA vem de Corrente alternada, significa que os elétrões circulam em dois sentidos, CC (DC), Corrente contínua, isto é circula num só sentido.

A certa altura, o potencial U , formado a partir da junção N e P não deixa os eletrões e lacunas movimentarem-se, este processo dá-se devida assimetria de cargas existente.

Tipos de diodos semicondutores

Os diodos são projetados para assumir diferentes características: diodos retificadores são capazes de conduzir altas correntes elétricas em baixa frequência, diodos de sinal caracterizam-se por retificar sinais de alta frequência, diodos de chaveamento são indicados na condução de altas correntes em circuitos chaveados. Dependendo das características dos materiais e dopagem dos semicondutores há uma gama de dispositivos eletrônicos variantes do diodo:                                                                               
  • Diodo zener                     
  • Diodo Schottky               
  • Diodo túnel
  • Diodo emissor de luz (LED)                        
  • Fotodiodo                         
  • Varicap               
  • SCR
Fonte: Wikipédia




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quarta-feira, 23 de maio de 2012

Junção PN




Denomina-se junção PN a estrutura fundamental dos componentes electrónicos comummente denominados semicondutores, principalmente diodos e transístores. É formada pela junção metalúrgica de dois cristais, geralmente silício  (Si) e (actualmente menos comum)  Germânio  (Ge), de natureza P e N, segundo sua composição a nível atómico. Estes dois tipos de cristais são obtidos ao se dopar cristais de metal puro intencionalmente com impurezas, normalmente algum outro metal ou composto químico.

Silício puro ou intrínseco


Os cristais de silício são formados a nível atómico por uma estrutura cristalina baseada em ligações covalentes que se produzem graças aos 4 electrões de valência do átomo de Silício. Cabe também mencionar as lacunas que são o lugar deixado pelo electrão quando abandona a camada de valência e torna-se um electrão livre, isto é o que se conhece com pares electrão - lacuna e sua criação se deve à temperatura segundo as leis da termodinâmica. Em um semicondutor puro (intrínseco), à temperatura constante, a densidade de lacunas (P) é igual à densidade de electrões livres (N)

É possível calcular a densidade (concentração) de electrões livre ni em um semicondutor intrínseco, em função da temperatura T  (em Kelvin), pela seguinte expressão.


Onde:
é a constante de Boltzmann;
o valor do gap de energia, que é a energia necessária para retirar um electrão de uma ligação covalente.

Silício extrínseco (tipo-P)

Um semicondutor tipo-P é obtido através do processo de dopagem, adicionando-se um certo tipo de composto, normalmente trivalente, isto é, com 3 electrões na camada de valência, ao semicondutor para aumentar o número de portadores de carga livres (neste caso positivas, lacunas). O boro é um elemento que pode ser usado na dopagem do silício, formando um semicondutor tipo-P.

O propósito da dopagem tipo-P é criar abundância de lacunas. No caso do silício, uma impureza trivalente deixa uma ligação covalente incompleta, fazendo que, por difusão, um dos átomos vizinhos ceda-lhe um electrão completando assim as suas quatro ligações. Assim os dopantes criam as lacunas. Cada lacuna está associada com um ião próximo carregado negativamente, portanto o semicondutor mantém-se electricamente neutro. Entretanto quando cada lacuna se move pela rede, um protão do átomo situado na posição da lacuna se vê "exposto" e logo se vê equilibrado por um electrão. Por esta razão uma lacuna comporta-se como uma carga positiva. Quando um número suficiente de aceitadores de carga é adicionado, as lacunas superam amplamente a excitação térmica dos electrões. Assim, as lacunas são os portadores maioritários, enquanto os electrões são os portadores minoritários nos materiais tipo P.

Silício extrínseco (tipo-N)

Um semicondutor tipo-N é obtido através do processo de dopagem em que se adiciona um composto, normalmente pentavalente, isto é, com 5 electrões na camada de valência, ao semicondutor para aumentar o número de portadores de carga livres (neste caso negativos,  electrões livres). O fósforo é comummente utilizado como dopante doador do silício, formando um semicondutor tipo-N.

Quando o material dopante é adicionado, este aporta seus electrões mais fracamente ligados aos átomos do semicondutor. Este tipo de agente dopante é também conhecido como material doador já que cede um de seus electrões ao semicondutor.

O propósito da dopagem tipo N é o de produzir abundância de electrões livres no material. Para ajudar a entender como se produz a dopagem tipo N considere-se o caso do silício (Si). Os átomos do silício têm uma valência atómica de quatro, portanto forma-se uma ligação covalente com cada um dos átomos de silício adjacentes. Se um átomo com cinco electrões de valência se incorpora à rede cristalina no lugar de um átomo de silício, então este átomo terá quatro ligações covalentes e um electrão não ligado. Este electrão extra dá como resultado a formação de electrões livres, o número de electrões no material supera amplamente o número de lacunas, neste caso os electrões são portadores maioritários e as lacunas portadores minoritários. Pelo fato de que os átomos com cinco electrões de valência têm um electrão extra para "dar" eles são chamados átomos doadores.

Barreira interna de potencial

Ao unir ambos os cristais, manifesta-se uma difusão de electrões do cristal N ao P. Ao se estabelecer estas correntes aparecem cargas fixas em uma zona em ambos os lados da junção, zona que recebe a denominação de barreira de potencial.

A medida que progride o processo de difusão, a zona de carga espacial vai aumentando sua largura aprofundando-se nos cristais em ambos os lados da junção. A acumulação de iões positivos na zona N e de iões negativos na zona P, cria um campo eléctrico (E) que actuará sobre os electrões livres da zona N com uma determinada força de deslocamento, que se oporá à corrente de electrões e terminará por detê-los. A criação de iões positivos na zona N (e negativos na zona P) deve-se que as impurezas N são pentavalentes, logo ao cederem o seu electrão, há mais protões que electrões criando assim um ião positivo, da mesma maneira que a impureza P trivalente, ao ganhar um electrão fica carregada negativamente pois fica com excesso de electrões relativamente aos protões.

Este campo eléctrico é equivalente a dizer que aparece uma diferença de tensão entre as zonas P e N. Esta diferença de potencial de contacto  (V0) é de 0,7 V no caso do silício e 0,3 V se os cristais são de germânio.

Polarização directa da junção P-N


Para que um díodo esteja polarizado directamente, temos que conectar o pólo positivo da bateria ao ânodo (zona P) do díodo e o pólo negativo ao cátodo (zona N). Nestas condições podemos observar que:
  1. O pólo negativo da bateria repele os electrões livres do cristal N, de maneira que estes electrões se dirigem à junção P-N.
  2. O pólo positivo da bateria atrai os electrões de valência do cristal P, isto é equivalente a dizer que empurra as lacunas para a junção P-N.
  3. Quando a diferença de potencial entre os bornes da bateria é maior que a diferença de potencial na zona de carga espacial P, os electrões livres do cristal N, adquirem a energia suficiente para saltar até as lacunas do cristal P, as quais previamente foram deslocadas para a junção P-N.
  4. Uma vez que um electrão livre da zona N salta à zona P atravessando a zona de carga espacial, cai em uma das muitas lacunas da zona P convertendo-se em electrão de valência. Uma vez que isto ocorre o electrão é atraído pelo pólo positivo da bateria e se desloca de átomo em átomo até chegar ao final do cristal P, através do qual introduz-se no fio condutor e chega à bateria.

Neste caso, a bateria diminui a barreira de potencial da zona de carga espacial (cedendo electrões livres à zona N e atraindo electrões de valência da zona P), permitindo a passagem da corrente de electrões através da junção; isto é, o díodo polarizado directamente conduz a electricidade.

Polarização inversa da junção P-N

Neste caso o pólo negativo da bateria é conectado à zona P e o pólo positivo à zona N, o que faz aumentar a zona de carga espacial, e a tensão nesta zona até que se alcança o valor da tensão da bateria.

O pólo positivo da bateria atrai os electrões livres da zona N, os quais saem do cristal N e se introduzem no condutor no qual se deslocam até chegar à bateria. A medida que os electrões livres abandonam a zona N, os átomos pentavalentes que antes eram neutros, ao verem-se desprendidos de seus electrões no orbital de condução, adquirem estabilidade (8 electrões na camada de valência, ver semicondutor e átomo) e uma carga eléctrica líquida de +1, o que os faz converterem-se em iões positivos.

O pólo negativo da bateria cede electrões livres aos átomos trivalentes da zona P. Recordemos que estes átomos só têm três electrões de valência, e uma vez que tenham formado as ligações covalentes com os átomos de silício, têm somente 7 electrões de valência, sendo o electrão que falta denominado lacuna.  Acontece que quando estes electrões livres cedidos pela bateria entram na zona P, caem dentro destas lacunas com o que os átomos trivalentes adquirem estabilidade (8 electrões em seu orbital de valência) e uma carga eléctrica líquida de -1, convertendo-se assim em iões negativos.

Este processo se repete e de novo até que a zona de carga espacial adquire o mesmo potencial eléctrico da bateria.

Nesta situação, o díodo não deveria conduzir a corrente; não obstante, devido ao efeito da temperatura formam-se os pares electrão - lacuna em ambos os lados da junção produzindo-se uma pequena corrente (da ordem de 1μA) denominada corrente inversa de saturação. Além disso existe também uma corrente denominada corrente superficial de fugas a qual, como o próprio nome indica, conduz uma pequena corrente pela superfície do díodo; já que na superfície, os átomos de silício não estão rodeados de suficientes átomos para realizar as quatro ligações covalentes necessárias para obter estabilidade. Este faz com que os átomos da superfície do díodo, tanto da zona N como da P, tenham lacunas em seus orbitais de valência e por isto os electrões circulam sem dificuldade através deles. Não obstante, assim como a corrente inversa de saturação, a corrente superficial de fugas é desprezível.

Esta imagem da uma ideia de como e a curva característica da junção PN
Fonte: Wikipédia

Ver também:

terça-feira, 22 de maio de 2012

Revista Circuitos Magazine

Aqui vão alguns números da revista circuito magazine espero que gostem, tem conteúdo realmente interessante:, espero quem gostem...


Revista Circuito Magazine  nº 1
Revista Circuito Magazine  nº 2
Revista Circuito Magazine  nº 3
Revista Circuito Magazine  nº 4
Revista Circuito Magazine  nº 5
Revista Circuito Magazine  nº 6


Ver também:

Dopagem



Dopagem  (inglês to dope = "adicionar substância estranha" + sufixo "agem") é o ato, o efeito ou a realização de introduzir substância (s) estranha (s) num meio ou sistema, não-vivo ou vivo, acidental ou intencional, licita ou ilicitamente, com propósitos usualmente bem determinados.

Pode referir-se a uma das áreas a seguir:
  1. Dopagem bioquímica
  2. Dopagem electrónica

Como alguns componentes electrónicos são construídos tendo como base a dopagem electrónica  a nós o electrónicos interessa – nos a dopagem electrónica.

Dopagem electrónica

Dopagem electrónica ou simplesmente dopagem, quando não houver possibilidade de confusão ou pelo uso no domínio específico ou restrito da electrónica de semicondutores, é a adição de impurezas químicas elementares (usualmente índio ou fósforo) em elemento químico semicondutor puro (ou o germânio ou o silício), com a finalidade de dotá-los de propriedades de semicondução controlada específica  (presença maioritária de portadores de carga ou tipo P, as lacunas, ou tipo N) para aplicação em dispositivos electrónicos elementares de circuitos.

Semicondutor dopado

O cristal de semicondutor que contenha intencionalmente cerca de um (1) átomo de elemento químico desejado (não qualquer elemento) para cada um milhão (106) de átomos do material em foco, é dito semicondutor dopado, para assim caracterizar que as suas propriedades físico-químicas já não são mais, em essência (ou "intrinseca", propriamente) as do semicondutor e, sim, ditadas pela presença do (ou dos, pois às vezes se utilizam dois ou mais agregados) dopante(s). Note-se que o teor relativo de impurezas — ou a razão de impureza — para o cristal dopado é expresso por 1:106 ou, como também se usa dizer,  1 ppm (uma parte por milhão).

Assim, semicondutores dopados para controlo exibem cerca de mil vezes mais "impurezas" que os semicondutores intrínsecos.

Dopados, pois, em teores na faixa citada (cerca de 1 ppm), dizem-se semicondutores extrínsecos. Quando o nível de dopagem (ou de impurezas) é significativamente mais elevado, eventualmente descontrolado, dizem-se semicondutores degenerados.

Impurezas aceitadoras e doadoras

Como impurezas químicas elementares aceitadoras electrónicas figuram boro,  alumínio,  gálio,  índio e tálio,  com uso mais frequente do índio, permitindo a constituição de cristais semicondutores controlados tipo P. Como impurezas químicas elementares doadoras electrónicas comparecem fósforo,  arsénio,  antimônio e bismuto, com uso mais frequente do fósforo, permitindo, assim, a constituição de cristais semicondutores controlados tipo N.

Cristais semicondutores dopados do tipo P apresentam lacunas como portadores maioritários de carga eléctrica (electrões sendo minoritários). Já o contrário ocorre com os cristais semicondutores dopados do tipo N, que apresentam electrões como portadores maioritários de carga eléctrica (sendo as lacunas os minoritários). Isso faz toda a diferença de comportamento entre os dois tipos de cristais dopados e é precisamente do "casamento", conotativamente, de ambos os tipos em várias modalidades que nasce a Electrónica semicondutora em toda a sua pujança.

Fonte: Wikipédia

Ver também:


sexta-feira, 18 de maio de 2012

Indutor ou bobina





Um indutor é um dispositivo eléctrico passivo que armazena energia na forma de campo magnético. O indutor pode ser utilizado em circuitos como um filtro passa baixa, rejeitando as altas frequências.


 Indutância

Assim como nos condensadores os indutores possuem uma propriedade denominada indutância. A Indutância (L), é medida em Henry (H), é um parâmetro dos circuitos lineares que relaciona a tensão induzida por um campo magnético variável à corrente responsável pelo campo.

Comportamento em circuitos eléctricos

Um indutor resiste somente a mudanças de corrente. A maioria dos indutores são construídos a partir de materiais com resistência eléctrica finita, que se opõe até mesmo à corrente directa. Materiais supercondutores não oferecem resistência a passagem de correntes eléctricas contínuas, e suas aplicações implicam propriedades distintas para os indutores feitos deste tipo de material.

Quando uma corrente alternada  (CA)  senoidal flui por um indutor, uma tensão alternada senoidal é induzida. A amplitude da f.e.m está relacionada com a amplitude da corrente e com a frequência da senóide pela seguinte equação:

U = I*ωL

Onde ω é a frequência angular da senóide definida em termos da frequência f por:

ω = 2πf

A reatância indutiva é definida por:

XL = ωL

Onde XL é a reatância indutiva medida em Ohms

Os problemas de análise de circuitos, que resultam num sistema de equações lineares, nos quais se busca encontrar os valores de corrente e de variação de tensão para cada compondente (incógnitas) são resolvidos por extensão dos problemas de circuitos com apenas fontes e resistores. Neste modelo estendido, a indutância e a capacitância são consideradas como resistências complexas, que passam a se denominar impedância. Os resultados são interpretados na forma polar, sendo o ângulo do vector encontrado interpretado como fase da corrente alternada ou tensão alternada.

Redes de indutores

Cada indutor de uma configuração em paralelo possui a mesma diferença de potencial que os demais. Para encontrar a indutância equivalente total (Leq):



1/Leq = 1/L1 + 1/L2 +…+ 1/Ln

A corrente através de indutores em série permanece a mesma, mas a tensão de cada indutor pode ser diferente. A soma das diferenças de potencial é igual à tensão total. Para encontrar a indutância total:


Leq = L1 + L2 +…+ Ln


Fonte: Wikipédia

Ver também: